氮化物自旋发光二极管圆偏振光极化率

本数据集围绕氮化物半导体自旋发光二极管中圆偏振光极化率及相关的光学性能表征展开。数据涵盖GaN基材料自旋相关光学性能和典型器件在磁场调控与电学注入条件下的圆偏振发光响应。其中，圆偏振光极化率的测量基于GaN基半导体量子结构，在室温条件下通过电致发光偏振分辨测试获得。通过获取左旋与右旋圆偏振光发光峰强度得到极化率数据。数据集中同时整理了与该数据对应的代表性论文与实验报告，用于支撑数据来源与物理解释的一致性。测试结果表明，在室温条件下器件圆偏振光极化率可达到约16.2%。该数据集可用于分析自旋注入与光学选择定则耦合机制，并为氮化物自旋光电子器件的性能评估与优化提供基础数据支撑。