抗辐射SiC功率器件所用外延材料测试数据

本数据集包含SiC外延材料三角形缺陷密度、外延厚度和掺杂浓度均匀性测试数据。本课题开展了渐变掺杂和二次外延厚度均匀性、浓度均匀性和表面三角形缺陷的研究。通过对生长温度、生长压力、C/Si等关键参数优化，改善了外延厚度和浓度的均匀性，降低了表面三角形缺陷密度。外延厚度和掺杂浓度均匀性分别降低至2.18%和3.17%，表面三角形缺陷密度0个/cm2，实现了4H-SiC二次外延工艺稳定生产。