晶圆级二维材料二硫化钼薄膜制备工艺与表征数据集

本数据集主要面向8英寸晶圆级二维材料二硫化钼（MoS₂）薄膜的可控制备与均匀性表征需求建设，基于嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心自主搭建的二维材料大尺寸原子层沉积设备及多种表征仪器（椭偏仪、TEM、拉曼光谱仪）产生。背景是验证所研制装备的实际工艺能力，实现5层MoS₂生长且厚度非均匀性≤5%的考核指标。产生方法为：在单晶硅衬底上以六羰基钼和乙二硫醚为前驱体，通过调节前驱体流量和反应时间，在自主装备上实现多层MoS₂的层级生长调控；使用椭偏仪（颐光科技SE-VE-L）测量薄膜厚度与折射率，使用TEM（蔡司Libra200）观察层状结构，使用拉曼光谱仪（赛默飞DXR3）分析材料质量。主要内容包括：制备工艺路线图、MoS₂拉曼图谱、生长速率曲线、TEM图、少层及五层MoS₂的拉曼/TEM图、五层生长原始数据（.wdf及.txt）、10个样品的折射率/反射率/透过率测试数据（共30个txt文件）以及详细的实验记录文档（.docx）。数据体量共计29.2MB，包含6张图片、1个wdf文件、31个txt文件和1个docx文档。该数据集直接支撑了8英寸二维材料样品制备指标的完成，为后续用户试用和产业化推广提供了关键工艺验证数据。