The Crawled API Documents for Building the FET Lattice

Name: The Crawled API Documents for Building the FET Lattice
Creator: Chen, Yixiong; Qi, Zhengwei; Xia, Mingyuan; Lei, Zhanyao; Yang, Yang
Published: 2022-05-16T00:00:00+08:00

Figshare2022-05-16 更新2026-04-08 收录

半导体器件

API文档自动化

数据链接：

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官方服务：

资源简介：

The crawled API documents for building the ubiquitous FET lattice of Leif's.

提供机构：

Chen, Yixiong; Qi, Zhengwei; Xia, Mingyuan; Lei, Zhanyao; Yang, Yang

创建时间：

2022-05-16

基于产线工艺LTPS TFT器件模型和工艺设计套件（PDK）建立与电路设计验证数据集

半导体器件

工艺设计

本数据集基于LTPS TFT 器件的结构和工作原理，完成了 3-μm 低温多晶硅薄膜晶体管的转移特性曲线的仿真和测试。搭建了基于多晶硅薄膜晶体管的工艺角仿真工具，根据 MOSFET 的工艺角模型，在 LEVEL 62 RPI TFT 模型中提取出 6 个描述工艺误差的工艺角参数，在 TFT 工艺角模型中引入了固定误差、随机误差和补偿误差三部分，设计了面向 LTPS TFT 器件的工艺角仿真模型。完

国家基础学科公共科学数据中心530

Si衬底上高性能GaN增强型功率电子器件制备技术

半导体器件

功率电子

围绕增强型器件能带调控机制、界面态物理与载流子输运机理等关键科学问题，开展高性能Si基GaN功率电子器件以及可靠性机理等研究工作，基于常规的异质结构和ICP刻蚀方法的GaN基增强型器件存在沟道载流子迁移率低、阈值电压不稳定等问题，创新提出AlGaN/GaN/AlGaN/GaN双沟道异质结构，利用氧化结合湿法腐蚀的刻蚀方法选择性去除上层AlGaN势垒层，保留下层的超薄AlGaN势垒，结合栅介质形成增

国家基础学科公共科学数据中心130

高频高功率毫米波光子混频器模块耐受反向偏压数据

半导体器件

测试可靠性

面向高反偏电压工作环境下的模块可靠性设计需求，‌耐受反向偏压是指半导体器件在施加与正常工作方向相反的电压时，仍能保持稳定运行的能力‌，通常用于评估器件的可靠性与稳定性，基于光电探测器反向偏压评估影响模块的可靠性和击穿特性研究。产生方法通过逐步增加反向偏压，测试模块的漏电流、击穿电压等参数，并记录模块是否正常工作。数据内容主要包括了“芯片耐受反向偏压结果.jpg”， “模块耐受反向偏压结果.jpg”

国家基础学科公共科学数据中心80

InAs纳米线陷阱态动力学研究数据集

纳米技术

半导体器件

我们通过测量、分析器件在不同stress time和栅压扫描速率时转移特性的情况探究InAs纳米线场效应晶体管中陷阱态所起到的作用。基于转移特性曲线，我们锚定阈值电压和差分回滞面积来量化不同bias stress过程中器件性能的变化。实验表明长的stress time已经快的栅压扫描速率有利于减小陷阱态对器件性能的影响。此外，我们给出了不同栅压下系统横截面的能带图，以帮助定性理解不同栅压下系统中电

国家基础学科公共科学数据中心170

Data for paper: Thin Al1-xGaxAs0.56Sb0.44 diodes with low excess noise

半导体器件

电子工程

The files correspond to experimental results in paper: "Thin Al1-xGaxAs0.56Sb0.44 diodes with low excess noise" published in IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics (Volume: 24, Issue:

orda.shef.ac.uk2023-05-30 更新80

The Crawled API Documents for Building the FET Lattice

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