封装仿真-波导-微带线过度部分数据集

本数据集为“波导–微带线过渡结构电磁仿真数据”，对应项目中高频封装传输结构建模与验证的技术指标要求。数据用于评估毫米波频段下波导端口与微带线之间的能量耦合效率、回波损耗（S11）、插入损耗（S21）、电场分布以及结构参数对带宽性能的影响，为射频封装设计提供模型依据。 本数据集由 wr26_back_to_back.aedt 仿真模型及其导出结果构成，包含中期与结题阶段仿真结果，可用于反映封装过渡结构在 30–40 GHz 区间的电磁性能、带宽特性及结构优化效果。该数据是项目中“波导–芯片高频接口结构建模”相关工作的关键支撑材料。数据通过 ANSYS HFSS 建立三维全波电磁仿真模型，模拟 WR-26 金属矩形波导与微带传输线之间的能量耦合结构。模型采用波导端口激励，通过微带线侧的集总端口或波端口提取传输特性。 仿真过程中对以下内容进行分析： S 参数（S11/S21）特性：用于评估反射损耗与插入损耗，判断过渡结构的匹配性能与带宽范围。 电场与功率分布图：观察波导模式（TE10）向微带准 TEM 模式的能量转换效率，识别结构中可能产生的反射、能量泄漏与辐射损耗。 结构参数敏感性分析：包括耦合槽尺寸、微带线宽度、基板介电常数、过渡长度等参数，评估对 S 参数的影响。 回波损耗带宽：通过 S11 ＜ –15 dB 或 –10 dB 带宽判定过渡器的有效工作区间。 仿真结果表明：波导–微带线过渡结构在目标频段内具有良好的传输效率与阻抗匹配，S21 插入损耗满足毫米波射频封装的应用需求，支持项目中波导端口与芯片端微带线之间的封装方案设计。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集基于ANSYS HFSS三维全波电磁仿真，包含波导–微带线过渡结构的模型与结果，用于评估毫米波频段（30–40 GHz）下的能量耦合效率、回波损耗及插入损耗。数据由wr26_back_to_back.aedt仿真文件及导出的S参数、电场分布图等构成，为射频封装设计中波导与芯片端微带线的高频接口建模提供关键支撑。