中波红外HgCdTe台面雪崩二极管暗电流依赖反向电压的机制数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2024-03-05 收录
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主要研究了中波长红外Hg1−xCdxTe(x=0.3)台面p-i-n雪崩二极管的暗电流与反向电压的关系机理。结果表明，低温下Hg1−xCdxTe台地p-i-n检测器，暗电流主要是由隧穿电流引起的。随着反向电压的增加，暗电流的主要成分由陷阱辅助隧穿电流转变为直接带对带隧穿电流。主要记录了光电流、暗电流等仿真值，数据量306KB.
提供机构：
中国科学院上海技术物理研究所
