基于新生长技术制备GaN体单晶的直径和厚度采集实验数据
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-07-10 收录
官方服务:
资源简介:
本数据集围绕基于氨热法与助熔剂法两类新生长技术制备GaN体单晶的尺寸控制展开,并在此基础上构建了涵盖晶体生长厚度、结晶质量及生长速率的数据库。本数据集完整记录了从原料配比、高温高压生长、产物处理到微观形貌及晶体结构表征的数据,为理解液相法GaN晶体生长动力学、优化大尺寸单晶制备工艺提供了重要的实验依据与理论支撑。数据量391 MB。
提供机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所


