InGaN基Micro-LED外延机理研究和结构设计数据集

InGaN基Micro-LED外延机理研究和结构设计主要针对Micro-LED应用及外延生产的技术挑战，在新型MOCVD设备样机上开展PVD AlN/低温GaN缓冲层的LED外延生长实验，以及设计不同种类的量子阱结构的InGaN基LED外延生长方法，并制备成Micro-LED阵列来对比EL光谱、发光效率、输出功率等参数，获取了较好的实验结果，为项目的生产验证提供了较好的研究基础。该数据集主要采集了相关研究的论文全文及专利全文等数据，数据量约为48.7MB。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦InGaN基Micro-LED的外延机理与结构设计，基于新型MOCVD设备开展PVD AlN/低温GaN缓冲层生长及多类型量子阱结构实验，并通过制备Micro-LED阵列对比EL光谱、发光效率与输出功率等参数。数据集收录了相关研究的论文全文及专利全文，数据量约48.7MB，为Micro-LED技术应用提供了实验基础。