InGaN基长波段LED材料生长实验数据

本数据集主要面向InGaN材料生长中的关键科学问题，依托自主研发的模拟软件，开展了高铟组分InGaN薄膜生长动力学过程的系统模拟；同时，利用自主研制的MOCVD设备，系统开展了氮化铝与氮化镓表面平整度优化实验，开发了外延层应力调控技术及“阱前修复—阱中维护—阱后保护”的全流程质量调控策略，成功制备出高质量的InGaN基量子阱材料，主要记录了不同生长条件下，氮化铝层的SEM图像；不同生长条件下应力调节层的XRD摇摆曲线；不同生长条件条件下N层的XRD摇摆曲线；高铟组分InGaN在不同厚度与组分条件下的生长模拟计算结果；不同生长条件下准备层的荧光、点测与封装数据；以及阱后保护层AlGaN在不同组分、厚度与速率条件下的荧光、点测与封装数据，数据总量1.24GB。