芯区刻蚀波导陡直度数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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https://nbsdc.cn/general/dataDetail?id=683de823195d261233189379&type=1
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资源简介：
针对国家在信息等相关领域对独立研发芯片产品的迫切需求，开展了SiO2基光子芯片共性工艺研究，开展不同深度的刻蚀技术研究，探明刻蚀侧壁粗糙度的影响因素，基于扫描电子显微镜，主要记录了芯区刻蚀波导几个样品的波导顶部宽度、波导底部宽度、波导厚度及芯片的波导陡直度数据，数据量3.11MB。
提供机构：
河南仕佳光子科技股份有限公司
