芯区刻蚀波导陡直度数据集

针对国家在信息等相关领域对独立研发芯片产品的迫切需求，开展了SiO2基光子芯片共性工艺研究，开展不同深度的刻蚀技术研究，探明刻蚀侧壁粗糙度的影响因素，基于扫描电子显微镜，主要记录了芯区刻蚀波导几个样品的波导顶部宽度、波导底部宽度、波导厚度及芯片的波导陡直度数据，数据量3.11MB。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于SiO2基光子芯片的芯区刻蚀波导工艺研究，记录了多个样品的波导顶部宽度、底部宽度、厚度及陡直度等关键参数。数据以xlsx、pdf、docx格式存储，总量为3.11MB，旨在支持芯片研发中的刻蚀技术优化。