6英寸碳化硅导电衬底数据集

本数据集对应国家重点研发计划课题2021YFB3601101（大尺寸导电SiC衬底制备产业化技术）6英寸导电 SiC 衬底制备产业化技术研究成果。开展了氮气（N2）掺杂浓度对6英寸导电SiC单晶电学性能影响的研究；6英寸导电SiC晶体电阻率均匀性与晶体界面形貌之间的关系研究；晶体生长参数与6英寸导电型SiC晶体不同类型位错之间的联系研究；6英寸导电SiC晶体不同生长阶段位错缺陷的产生、继承、消失的演变机理研究以及金刚石砂浆切割的切割速率、供线速度、供线张力等参数对翘曲度和切割表面质量的影响研究，同时建立相关数学模型成功将复杂的、多因素耦合的非线性问题转化为可量化、可预测、可补偿的工程问题，从根本上解决了因热场衰减导致的批次间不稳定性，为6英寸SiC衬底的批量生产提供了可靠的工艺窗口和最优参数组合，6英寸导电SiC衬底指标参数达到：XRD半峰宽14.4 arcsec，TTV 4.804 μm，LTV 0.669 μm，WARP 6.571 μm，|BOW| 2.987 μm，表面粗糙度0.0409 nm，大于0.3 μm颗粒密度0.01个/cm2，微管密度0，电阻率0.022 Ω·cm，基平面位错191.36个/cm2，螺位错8.43个/cm2，均已实现结题技术目标。