抗辐照SiC基功率器件验证平台数据集

抗辐照SiC基功率器件验证平台数据集汇集了2024年1月至2025年6月期间基于抗辐照SiC功率半导体器件的航天电源试验单元（以下简称试验单元）发射前在地面测试、验证、联试产生的数据和搭载TZ-8在轨运行8个月获得的在轨SiC MOSFET功率器件的动态参数数据，总数据量约4GB。通过在轨及地面的应用验证数据建立 SiC 基功率器件参数漂移模型，为 SiC 基功率器件在航天大规模应用提供理论和重要技术支撑。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集汇集了2024年1月至2025年6月期间，基于抗辐照SiC功率半导体器件的航天电源试验单元在地面测试及搭载TZ-8在轨运行8个月所产生的动态参数数据，总数据量约4GB。数据集旨在通过地面与在轨的联合验证，建立SiC基功率器件的参数漂移模型，为其在航天领域的规模化应用提供理论与技术支撑。