3300VSiCMOSFET芯片测试数据与模型数据

以SiC MOSFET栅介质缺陷与阈值电压不稳定作用机制这一重大科学问题为出发点，深入研究影响阈值电压漂移的关键因子与机理，实现了高压SiC MOSFET高可靠性栅介质工艺技术开发。完成了3.3kV SiC MOSFET芯片体二极管双极可靠性与栅氧可靠性优化设计、元胞多目标结构优化协同设计、RAJTE终端设计，攻克了高压大尺寸芯片研制的核心技术，整合关键工艺，实现3.3kV高压大尺寸SiC MOSFET芯片研制。该数据集包含5个子文件夹： 1）3.3kV SiC MOSFET仿真模型数据文件夹包含2个文件，为.gzp格式，存储的是3.3kV SiC MOSFET的仿真模型数据，包括元胞和终端结构仿真代码、电特性仿真代码等。容量约为100MB。 2）3.3kV SiC MOSFET版图与工艺流程数据文件夹包含2个文件，格式包含.gds、.pdf两种形式，存储的是3.3kV SiC MOSFET的版图和工艺整合流程卡等数据，容量约为500MB。 3）3.3kV SiC MOSFET芯片加工过程数据文件夹包含6个文件夹，格式包含.xlsx、.csv、.bmp、.png、.xls五种形式，存储的是典型外延缺陷数据、芯片加工过程关键尺寸（JFET宽带）监控数据、栅压可靠性提升前后栅氧厚度监控数据、栅压可靠性提升前后TZDB测试波形等数据，容量约为30.2MB。 4）3.3kV SiC MOSFET芯片测试数据文件夹包含6个文件，格式包含.csv、.png、.bmp、.xlsx三种形式，存储的是体二极管双击可靠性试验过程数据、芯片探针测试原始数据与结果数据、模块封装常高温测试数据等，容量约为565MB。 5）3.3kV SiC MOSFET第三方测试数据文件夹包含4个文件，格式包含.pdf、.xlsx、.xls三种形式，存储的是可靠性试验原始数据与测试报告等，容量约为12MB。