介电氧化物选择性原子层沉积方法数据集

本数据集面向芯片先进制程的选择性原子层沉积技术开发需求建设，主要包括沉积性能测试数据。其中沉积性能测试数据由华中科技大学利用原子层沉积反应腔与原位监测系统制备样品，借助分析测试平台进行测试，记录了在不同基底类型、不同沉积温度及循环比例下的自对准精度（<1 nm）、沉积选择性（>99%）、TSV结构沉积选择比（>10:1）、台阶覆盖率（>90%）及膜厚控制精度（0.1 nm）的结果。该数据集涵盖了从抑制剂修饰、选择性沉积到厚度精确控制与后处理的完整技术参数与结果，为纳米级互连结构低功耗、高性能制造提供了重要支撑。