物理气相输运法制备2英寸高质量AlN单晶衬底数据集

数据集包含探究杂质和生长过程对深能级缺陷浓度、能级位置和深紫外吸收特性的影响，明确抑制深紫外吸收过程的方法过程中的模拟仿真数据和表征数据以及AlN单晶衬底的制备包括位错密度、光吸收系数@265nm等关键指标。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于物理气相输运法制备2英寸高质量AlN单晶衬底的过程，包含模拟仿真与表征数据。数据内容涉及杂质及生长条件对深能级缺陷浓度、能级位置和深紫外吸收特性的影响，并提供了位错密度、265nm光吸收系数等关键衬底指标。