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物理气相输运法制备2英寸AlN单晶晶锭、衬底数据集
物理气相输运法制备2英寸AlN单晶晶锭、衬底数据集
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国家基础学科公共科学数据中心
2026-04-04 收录
氮化铝单晶生长
半导体衬底制备
数据链接:
https://nbsdc.cn/general/dataDetail?id=69cd4136f17560281a74acb6&type=1
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NEW
资源简介:
数据集包含长晶工艺优化过程中的模拟仿真数据及表征数据以及2英寸AlN单晶晶锭和衬底的制备过程包括直径、厚度等关键指标。
应用场景:
提供机构:
奥趋光电技术(杭州)有限公司
搜集汇总
数据集介绍
背景与挑战
背景概述
该数据集聚焦于采用物理气相输运法(PVT)制备2英寸AlN单晶晶锭及衬底的过程,收录了长晶工艺优化中的模拟仿真数据与表征结果。数据集中包含了制备过程中的关键指标,如晶锭和衬底的直径、厚度等参数,为AlN大尺寸单晶的生长研究提供了基础数据支持。
以上内容由遇见数据集搜集并总结生成
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