高功率多结VCSEL阵列芯片研制数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-03-14 收录
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资源简介:
该数据集主要是对课题1“高功率多结VCSEL阵列芯片”性能指标测试数据进行全面的记录,包括测试指标内容和测试结果记录。具体数据内容主要包含所研制的“高功率多结VCSEL阵列芯片”六个指标:电光转化效率,斜率效率,发散角全角,输出光功率,阵列发光一致性,波长温漂的测试方法、测试步骤、判断标准以及测试结果。数据文件主要包括高功率多结VCSEL阵列芯片六个指标性能测试-课题1中期测试数据文档;高功率多结VCSEL阵列芯片六个指标性能测试-课题1结项测试数据文档。
提供机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所搜集汇总
数据集介绍

背景与挑战
背景概述
该数据集记录了高功率多结VCSEL阵列芯片六个关键性能指标(电光转化效率、斜率效率、发散角全角、输出光功率、阵列发光一致性、波长温漂)的测试方法、步骤、判断标准与结果。数据文件涵盖课题中期与结项两个阶段的测试数据文档,以JPG、xlsx、csv、png、docx等多种格式存储,共计121个文件、约20.99MB。
以上内容由遇见数据集搜集并总结生成



