硅基薄膜铌酸锂电光调制器芯片片上插损@C-band数据集

本数据集围绕硅基薄膜铌酸锂电光调制器芯片在 C 波段的片上插损测试展开。数据集包括芯片在 1530 nm、1550 nm 和 1565 nm 三个典型波长下的插入损耗测量结果，通过对比“光纤-芯片-光纤”与“光纤-短波导-光纤”的输出光功率，计算得到片上插损。测试过程中采用可调谐激光器、偏置电源、偏振控制器和光功率计等设备，结合标准化测试链路和校准措施，确保数据的准确性与稳定性。该数据集可用于评估硅基薄膜铌酸锂电光调制器芯片的传输性能，为后续器件设计优化和高速光通信系统应用提供基础数据支持。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集记录了硅基薄膜铌酸锂电光调制器芯片在C波段（1530nm、1550nm、1565nm）的片上插损测量结果，通过对比“光纤-芯片-光纤”与“光纤-短波导-光纤”的输出光功率计算得出，测试采用可调谐激光器、偏置电源等设备确保数据准确性。数据集包含9个文件（4.81MB），为评估芯片传输性能及优化高速光通信系统提供基础数据支持。