Dry etch process data
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资源简介：
molybdenum dry etch with CF4 and O2 gas
采用四氟化碳（CF4）与氧气（O2）气体的钼干法刻蚀
创建时间：
2022-01-15
搜集汇总
数据集介绍
背景与挑战
背景概述
该数据集记录了OLED制造中钼栅极的干法刻蚀工艺实验数据，包含CF4和O2气体流速、压力、工艺时间等关键工艺参数，以及栅极关键尺寸的测量结果。数据集规模较小（21.9 kB，8列），适用于半导体制造领域的工艺优化、质量控制或机器学习建模分析。
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