RRAM单元基本性能测试数据

本数据集围绕28nm工艺阻变存储器（RRAM）单元，系统提供了初始化（forming）、擦写循环（endurance）、读操作及高温保持（retention）四项基本电学性能的实测数据。RRAM因高密度、低功耗、非易失性及多值特性，被视为突破传统架构“存储墙”瓶颈、支撑存内计算加速器的关键器件，而其电学行为直接影响计算精度，因此系统性的性能数据对器件评估与模型校准至关重要。数据全部来源于中科院微电子所自主研发的RRAM测试芯片，数据集总大小39.5MB，格式为.csv和.xlsx，数据集包含：（1）RRAM单元初始化测试。记录直流与脉冲forming条件下的成功率及对应电压、脉宽；数据量344KB；（2）RRAM单元擦写测试。包含10次及500次连续Set/Reset循环的阻态变化，数据量34.9MB；（3）RRAM单元读性能测试。通过写入不同图案（10、01、11、00）验证读写正确性，数据量3.63MB；（4）RRAM单元阻值保持测试。记录125 ℃烘烤下不同时刻的阻值漂移，数据量48KB；（5）RRAM单元基本性能测试数据。本数据集可为器件筛选、读写策略优化、可靠性建模及工艺波动性分析提供直接实验依据，对RRAM在非易失存储与神经形态计算中的应用评估具有参考价值。