Data for: Comparison of the AlN and GaN crystalline quality on 2-inch silicon substrate via two growth methods

NIAID Data Ecosystem2026-03-11 收录

半导体外延生长

晶体质量评估

数据链接：

https://data.mendeley.com/datasets/zwmk36df4v 数据链接链接失效反馈

官方服务：

资源简介：

GaN on Si.

创建时间：

2020-03-31

InGaN基Micro-LED外延机理研究和结构设计数据集

Micro-LED

半导体外延生长

InGaN基Micro-LED外延机理研究和结构设计主要针对Micro-LED应用及外延生产的技术挑战，在新型MOCVD设备样机上开展PVD AlN/低温GaN缓冲层的LED外延生长实验，以及设计不同种类的量子阱结构的InGaN基LED外延生长方法，并制备成Micro-LED阵列来对比EL光谱、发光效率、输出功率等参数，获取了较好的实验结果，为项目的生产验证提供了较好的研究基础。该数据集主要采集了

国家基础学科公共科学数据中心180

A multiscale approach to the study of epitaxial film evolution during MOCVD

半导体外延生长

光学器件制造

Selective regrowth of Fe−doped InP by tertiarybutylchloride (TBCl) assisted low pressure MOVPE on tall and narrow ridges has been investigated regarding the chloride addition, the surface morphology,

DataCite Commons2020-08-19 更新80

III-nitride heteroepitaxial films approaching bulk-class quality

半导体外延生长

III-V族半导体

AlN growth on nano-patterned AlN template

Figshare2023-06-23 更新50

高微分增益超晶格有源区和低串联电阻DBR的外延设计和生长数据集

VCSEL芯片设计

半导体外延生长

本项目面向低成本中长距离高速光通信对1300nmVCSEL的迫切需求，项目围绕“高速低功耗1300nmVCSEL带宽限制机理与提升机制”关键科学问题，和“高速低功耗1300nmVCSEL制备和测试表征”关键技术问题，研制出高速低功耗1300nmVCSEL芯片，实现高速低功耗1300nmVCSEL中长距离光纤传输示范。本数据集主要记录了高微分增益超晶格有源区和低串联电阻DBR的外延设计和生长研究开展

国家基础学科公共科学数据中心130

Laser diodes grown on porous GaN by plasma-assisted molecular beam epitaxy

半导体外延生长

激光二极管制备

optimcal microscope images of porous GaN substrate with LD structure grown on top, LDs after processing and SEM images of LDs after processing and mirror fabrication

DataCite Commons2024-03-26 更新60

Data for: Comparison of the AlN and GaN crystalline quality on 2-inch silicon substrate via two growth methods

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