OX04
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High-voltage power semiconductor devices, such as IGBTs, diodes and MOSFETs are susceptible to destructive failure due to terrestrial cosmic radiation (CR), notably the nucleon...
高压功率半导体器件，诸如绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistors，IGBTs）、二极管以及金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFETs），均易受地面宇宙辐射（Cosmic Radiation，CR）影响而发生破坏性失效，其中尤以核子辐射为显著影响因素……
