28nm STT-MRAM存算一体器件和芯片制备MRAM特性参数和芯片性能指标数据

该设计数据来源于中电海康集团有限公司，背景为参与大规模、高能效存算一体项目进行器件和芯片制备，为基于MRAM的器件和芯片进行工艺开发的参数，其中包括了MRAM器件特性参数包含MTJ的Rp，Rap，TMR，工艺一致性，良率，写次数，数据保持时间的数据，以及MRAM器件特性参数和芯片性能指标的数据说明。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集由中电海康集团提供，服务于大规模、高能效存算一体项目，记录了28nm STT-MRAM存算一体器件和芯片制备过程中的MRAM特性参数与芯片性能指标。具体包括MTJ的Rp、Rap、TMR、工艺一致性、良率、写次数、数据保持时间等关键参数及其详细说明。