8英寸MEMS传感器加工中试平台整晶圆硅通孔核心工艺参数数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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目前整晶圆硅通孔（TSV）由于体积小，并且可以垂直互连缩短信号路径，降低延迟与功耗，提升系统集成度与性能，成为了替代晶体管实现三维集成的新方案。本数据集采取电子扫描显微镜及电性测试方法，对基于通孔刻蚀、牺牲层沉积与腐蚀、介电层沉积、金属电镀和抛光等工艺技术形成的TSV结构，进行了通孔厚度、通孔直径、通孔深宽比、单一通孔电阻值的测试。本数据集的时间范围为2022年至2024年，数据集采用了通用标准的实验设备及科学严谨的测试方法，保证了数据的准确性和稳定性。该数据集为实现高密度电学垂直互联技术提供了实验基础，可以有效提高系统集成度。
提供机构：
上海新微技术研发中心有限公司搜集汇总
数据集介绍
背景与挑战
背景概述
该数据集聚焦于8英寸MEMS传感器加工中试平台的整晶圆硅通孔（TSV）核心工艺，通过电子扫描显微镜和电性测试方法，系统测量了通孔厚度、直径、深宽比和电阻等关键参数。数据采集于2022年至2024年，旨在为高密度电学垂直互联技术提供实验基础，以提升系统集成度与性能。
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