SiC 功率器件单粒子漏电退化损伤实验及微观高分辨表征结果

本数据集面向SiC功率JBS二极管单粒子效应与损伤机理研究，基于中国科学院近代物理研究所兰州重离子加速器（HIRFL）的单粒子效应终端实验产生。数据集系统收录了对南京电子器件研究所提供的1200V/15A SiC JBS二极管，在施加200V反向偏压条件下，进行Ta快重离子辐照的实验数据。核心内容包括：利用SRIM软件计算的离子能量与射程数据、通过固体核径迹探测器（PET膜）校准获得的精确辐照注量、基于Keithley高功率源表在线监测的单粒子漏电退化特性、以及利用球差校正透射电镜（JEM-ARM300F）获取的损伤区域微观结构。数据总量约1.02 GB，为揭示SiC功率二极管的单粒子失效机制与辐射损伤演化规律提供了关键的多维度实验证据。