材料的外延生长工艺温度数据

面向半导体材料（InP、GaAs 基等）外延工艺优化需求建设，源于材料外延生长实验（MOCVD 设备），主要对外延生长材料的载流子迁移率进行相关研究，同时欧姆接触也受温度影响较大。背景是外延生长温度是材料晶体质量的关键工艺参数，其对晶体质量的有较大的影响。产生方法通过温控系统记录外延过程温度曲线，结合 XRD、PL 等表征材料质量。主要记录不同材料层（缓冲层、有源层）的生长温度、温度稳定性及对应的材料结晶质量数据。意义在于指导外延工艺窗口确定，提升材料晶体质量，为器件性能奠定基础。数据内容包含“载流子不同温度迁移率测试.jpg”和“载流子不同温度迁移率数据.txt”的载流子不同温度迁移率数据。