6.5kVSiC模块封装设计仿真及测试数据

本数据集主要面向6.5kV SiC模块封装设计研究及国产高压SiC功率模块器件能源战略需求建设，依托“高压SiC基功率电子材料和器件”国家重点项目构建。数据来源于株洲中车时代半导体股份有限公司仿真平台及CNAS认证第三方检测实验室，通过solidworks三维建模和Ansys数值模拟，并严格遵循IEC60747-8：2010《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》中常温和高温试验规定方法开展实验测量。6.5kV SiC模块封装设计仿真及测试数据数据主要包括设计仿真数据和测试数据两大类别数据。其中设计数据为将Solidworks2023三维设计软件获得的模型文件，并在中望CAD 2017生成二维工程文件数据；仿真数据为将三维模型导入Ansys 2023软件，生成的电感和热阻仿真数据；基于仿真设计产生的组装结构，结合高压模块生产线工艺能力，形成工艺流程图;高压SiC芯片的引线键合、银烧结关键工艺过程数据，通过推力测试，对过程能力统计数据；测试数据包含基于国家标准，通过专业实验装置对生产模块测试，得到模块静态测试数据和高温栅偏（HTGB-）过程漏电测试数据及模块的复测模块漏极泄漏电流、栅源阈值电压、栅极截止电流、源漏通态电阻测试数据原始文件；根据测试数据输出模块参数分布图、良率，并对样品模块测试数据进行合格与否判定，输出模块连续漏极电流数据、阈值电压变化率形成的处理后数据。本数据集是验证6.5kV SiC模块的电热性能、支撑相关研究报告与专利的核心依据。