SiC功率器件单粒子效应实验数据

本数据集面向SiC功率JBS二极管单粒子效应环境适应性研究，基于中国科学院近代物理研究所兰州重离子加速器（HIRFL）的单粒子效应终端实验产生。数据集系统收录了对国产三安650V/20A与1700V/40A两款SiC JBS二极管，在不同环境温度（室温至150℃）与辐照注量率条件下，进行Ta快重离子辐照的实验数据。核心内容包括：通过SRIM软件计算的离子能量与射程参数、基于Keithley高功率源表在线采集的辐照前后电学特性演变数据、以及不同温度与注量率条件下的单粒子效应阈值。数据总量约12.60 MB，系统揭示了温度与注量率对SiC JBS二极管单粒子效应敏感性的影响规律，为空间应用器件的抗辐射设计与评估提供了关键实验依据。