极性界面驱动的拓扑绝缘体或拓扑半金属

半导体低维极性界面受材料电负性差异、晶格匹配程度、界面生长方向以及界面电荷转移、波函数耦合机制等诸多因素影响，显著区别于体材料。基于此，理论设计主流半导体极性界面（如 InSb/Sn,CdTe/Sn等）驱动的拓扑绝缘体或拓扑半金属。包括单层磁性拓扑绝缘体MnBi2Te4中磁振子理论研究数据和外尔半金属间手性反常增强的卡西米尔作用理论研究数据，二维杂化钙钛矿中的激子涡旋理论研究数据，单层两面神MoSSe材料的中的自旋霍尔效应的理论研究数据，单层InSe多带k.p哈密顿量的能带数据。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

本数据集聚焦于半导体低维极性界面驱动的拓扑绝缘体或拓扑半金属，基于理论计算设计了如InSb/Sn、CdTe/Sn等极性界面系统，并提供了包括单层磁性拓扑绝缘体MnBi2Te4中的磁振子、外尔半金属中的卡西米尔作用、二维杂化钙钛矿激子涡旋、单层MoSSe自旋霍尔效应以及单层InSe能带结构在内的多项理论研究数据。数据来源于国家重点研发计划项目，由中国科学院半导体研究所发布，总数据量约64.34MB，包含53个文件。