高临界电流密度（Jc）集成工艺开发参数

高Jc意味着高工作频率，制备高Jc约瑟夫森结对于提升SFQ电路速度具有重要意义。约瑟夫森结工艺中 ，最为关键的是对其Jc进行精确控制。对各个单元工艺进行全面优化，调控氧化条件，获得了不同Jc约瑟夫森结。通过优化氧分压等势垒层单元工艺，制备出高临界电流密度约瑟夫森结，制备获得稳定的高质量高Jc约瑟夫森结。测试约瑟夫森结的回滞I-V曲线和并联电阻约瑟夫森结的非回滞I-V曲线，统计不同面积约瑟夫森结和并联电阻后的结的临界电流，计算获得相应临界电流密度。完成了指标要求，为后续大规模高速超导集成电路的制备奠定了工艺基础。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集记录了通过优化氧分压等势垒层单元工艺制备高临界电流密度（Jc）约瑟夫森结的开发参数。数据包括回滞与非回滞I-V曲线测试结果，以及不同面积结和并联电阻结的临界电流统计，用于计算相应临界电流密度。该工艺成果为大规模高速超导集成电路的制备奠定了工艺基础。