低温GaN HEMT器件研制工艺参数
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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资源简介：
本数据集研究了低温下（<10K）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的射频小信号特性，包括器件的S参数，最大稳定增益（MSG）和最大资用功率增益（MAG）的频率响应曲线以及晶体管最高振荡频率（fmax）。GaN HEMT 器件在温度区间内的射频实验数据值由低温探针台测试系统获得。首先，需要通过扎针进行标准的 SOLT (Short-Open-Load-Through)校准方法，将仪表、线缆和探针的寄生参数去除。然后，利用工业标准射频电路设计软件Advanced Design System (ADS)，辅助计算最大功率增益MSG/MAG并提取最大工作频率fmax。
提供机构：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所搜集汇总
数据集介绍
背景与挑战
背景概述
该数据集聚焦于低温（<10K）环境下GaN HEMT器件的射频小信号特性，提供了S参数、最大稳定增益和最大资用功率增益的频率响应曲线以及最高振荡频率（fmax）的实测数据。数据通过低温探针台系统进行SOLT校准后采集，并利用ADS软件辅助计算关键参数，为低温GaN HEMT器件性能评估提供依据。
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