制备基于极性界面的太赫兹波段红外探测器原型器件

反转型InAs/GaSbⅡ类超晶格的杂化带隙在太赫兹波段具有较大吸收系数这一特性，解决常规InAs/GaSb超晶格在太赫兹波段吸收低的问题，采用新型极性InAlSb界面解决研制长周期InAs/GaSb应变大的问题。研制的反转型InAs / GaSb超晶格太赫兹红外探测器将在目标探测(太赫兹雷达) 、保密通信、对抗、敌我识别、隐藏武器探测、武器精确制导、安全检测等军事和民事领域具有广阔的应用前景。基于以上研究背景的实际需求，我们设计了相应的实验方案。利用中国科学院半导体研究所现有的实验设备（傅里叶红外光谱仪（德国 布鲁克 型号：V70），前置放大器（美国stanford 型号：SR570），低温恒温器（英国 Oxford 低温恒温器，型号：Optistat Dry）实验观测数据。数据量预计2MB /3条。