SiGeSi叠层外延生长数据集

本研究提出了一个GAA CMOS器件SiGe/Si叠层外延生长数据，根据研究内容划分为六个子数据集：1、基于中国科学院微电子研究所集成电路先导中心的200 mm CMOS工艺线平台，采用ASM减压外延设备生长SiGe/Si外延叠层生长流程；2、SIMS表征外延生长前B/P微量元素；3、通过AFM表征晶圆表面的粗糙度确认晶格的质量；4通过XRD测试SiGe/Si叠层外延生长晶格各膜层的厚度浓度及晶格质量；5、通过SEM表征膜层的厚度及表面的起伏；6、用TEM及附属的EDS设备表征各叠层外延的晶格质量及EDS半定量表征Ge浓度的实际数值。数据集的潜在应用价值主要是在基于GAA CMOS器件的集SiGe/Si叠层外延超晶格生长方面为研究者提供可靠的技术方案和数据支撑。