8英寸FDSOI器件集成研究数据集

本文系统性地开展了面向8英寸晶圆的超薄埋氧层（BOX厚度小于25 nm）全耗尽硅绝缘体（FDSOI）器件的深入研究工作，围绕关键工艺模块与核心器件架构进行了自主研发与优化。所获器件埋氧层厚度为19.71 nm，顶层硅厚度10.45 nm，沟道长度28.74 nm，特征尺寸达到亚30 nm。器件开关比均超过10⁵量级，亚阈值摆幅约85 mV/dec。这些关键电学参数直接验证了超薄BOX结构对短沟道效应的有效抑制，证实该工艺平台在亚30 nm节点已具备优异的栅控能力与高开关比，为12英寸FDSOI规模化制造提供了明确的数据支撑和直接工艺参考。