极薄多层高K金属栅材料生长技术数据集

本研究提出了一个基于去耦合等离子体氮化（DPN）技术的极薄多层高k金属栅材料界面态数据集，根据研究内容划分为四个子数据集：1、界面氮化工艺方法，包括热氮化法、氨气等离子体氮化（APN）、氮气等离子体氮化（NPN）和去耦合等离子体氮化（DPN）四类方法的对比分析及功率参数优化；2、X射线光电子能谱（XPS）表征数据，包括不同测试角度下的Si2p、O1s、N1s解谱及元素定量分析；3、电导法多频C-V/G-V测试及界面态密度（Dit）提取数据，涵盖四种器件结构（A/B/C/D）的对比；4、基于密度泛函理论（DFT）的Zr:HfO/SiON/Si栅堆叠第一性原理计算数据。数据集的潜在应用价值主要是在GAA器件高k金属栅界面工程领域中为研究者提供可靠的数据支撑和工艺参考。