晶体管+磁隧道结（1T1M）性能测试数据
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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本数据集是基于MRAM存储器基本组成单元：晶体管+磁隧道结（1T1M）性能测试，研究分析1T1M 单元的低温电学性能。主要包括RVDC、RVPULSE测试原始数据及测试报告。本数据集有助于分析1T1M单元4.2K低温条件下是否能实现高低阻态的翻转，完成0/1的二进制数据存储。本数据集有助于深入研究1T1M 单元的低温电学性能，提出优化的单元结构，也为本项目提供了研究基础。
提供机构：
上海微系统与信息技术研究所搜集汇总
数据集介绍
背景与挑战
背景概述
本数据集提供基于MRAM基本单元（晶体管+磁隧道结，1T1M）的低温电学性能测试数据，包括RVDC、RVPULSE原始测试数据及相应报告，重点分析4.2K温度下高低阻态翻转特性，以验证二进制数据存储可行性，并为单元结构优化提供研究基础。
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