抗辐射SiC功率器件可靠性关键工艺测试数据

本数据集包含栅极可靠性过程及最终结果测试数据。本课题通过低温再氧化技术钝化栅氧体缺陷，大幅提升栅氧可靠性，通过+25V和-10V 1000小时HTGB测试，阈值电压漂移整体＜5%，其性能达到国内领先，国际先进。通过关键技术导入和流程整合，研制出了1200V 25mΩ MOSFET器件，CP测试结果显示SiC MOSFET器件的击穿电压均值≥1400V、阈值电压均值≈2.70V、源漏漏电流均值≈0.3uA、栅源漏电流均值≈80pA、导通电阻均值≈24.3mΩ，其各项性能指标均符合项目需求。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集记录了抗辐射SiC功率器件栅极可靠性工艺过程与最终测试结果，采用低温再氧化技术钝化栅氧缺陷，显著提升了栅氧可靠性。经+25V和-10V条件下1000小时HTGB测试，阈值电压漂移控制在5%以内；基于优化工艺研制的1200V 25mΩ MOSFET器件，其击穿电压、阈值电压、漏电流及导通电阻等关键参数均满足项目要求。