抗辐射SiC功率器件芯片关键工艺测试数据

本数据集包含沟道迁移率、栅介质隧穿场强和P型SiC比接触电阻率优化过程及最终结果测试数据。本课题通过高温氧化和氮化过程中的氮平衡技术，降低了界面缺陷和近界面陷阱密度，迁移率提升至42.9cm2/Vs，大幅降低器件的导通损耗。通过器件制造全流程热预算管理，栅氧隧穿场强和击穿场强分别提升至6.2MV/cm和10.2MV/cm，进一步提升了抗SEB和SEGR能力。在P型欧姆接触上，通过Ni/Ti/Al三元合金体系和P+高掺杂技术，结合RTA热预算优化，实现欧姆接触电阻率4E-6Ω·cm2。