先进源漏低阻接触工艺数据

本文聚焦先进源漏低阻接触工艺，通过优化金属沉积、界面钝化及掺杂激活技术，有效降低纳米级CMOS器件的源漏接触电阻。在n型硅接触中，采用优化Ti膜（厚度50 Å，溅射压强10 mtorr）并结合CF₄界面钝化，有效降低了肖特基势垒、抑制了费米能级钉扎效应，使接触电阻率降至6.77×10⁻⁹ Ω·cm²，证实了界面钝化与金属淀积协同优化的有效性。在p型SiGe接触中，利用Ge预非晶化与B二次注入，辅以纳秒激光退火，在低热预算下显著提升了表面掺杂浓度与激活率，实现了7.37×10⁻⁹ Ω·cm²的低接触电阻，展现出激光退火在先进节点下的独特优势。上述成果为高性能、低功耗集成电路制造提供了关键技术突破。