基于隧穿机理的新型材料超陡摆幅器件性能预测
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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共9个文件或文件夹,其中1个数据集说明文件,8个文件夹,分别为(1)论文文件夹(内含6篇论文)、(2)专利文件夹(内含3项专利)、(3)InAs同质结压电隧穿晶体管器件模拟、(4)GaSb/InAs异质结压电隧穿晶体管器件模拟、(5)平面黑磷隧穿晶体管器件模拟、(6)掺杂的平面黑砷隧穿晶体管器件模拟、(7)graphene/MoS2面内异质结狄拉克源晶体管器件模拟、(8)氢掺杂的黑砷纳米带环形栅晶体管器件模拟。
提供机构:
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司搜集汇总
数据集介绍

背景与挑战
背景概述
该数据集围绕新型材料的隧穿机理,针对超陡摆幅器件的性能预测展开,包含论文、专利及多种晶体管器件模拟数据,旨在支持集成电路低功耗技术研究。数据来源于国家重点研发计划项目,总量约20.34GB,涵盖289个文件,聚焦于亚阈值摆幅优化与器件模拟应用。
以上内容由遇见数据集搜集并总结生成



