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Strain in operando AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor
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相关数据集
基于产线工艺LTPS TFT器件模型和工艺设计套件（PDK）建立与电路设计验证数据集
本数据集基于LTPS TFT 器件的结构和工作原理，完成了 3-μm 低温多晶硅薄膜晶体管的转移特性曲线的仿真和测试。搭建了基于多晶硅薄膜晶体管的工艺角仿真工具，根据 MOSFET 的工艺角模型，在 LEVEL 62 RPI TFT 模型中提取出 6 个描述工艺误差的工艺角参数，在 TFT 工艺角模型中引入了固定误差、随机误差和补偿误差三部分，设计了面向 LTPS TFT 器件的工艺角仿真模型。完
国家基础学科公共科学数据中心530
大扇出结构FinFET器件制备实验数据集
2016YFA0200504-001--大扇出结构FinFET器件制备实验数据集主要基于飞秒激光数字微镜面投影与直写协同曝光的跨尺度光刻技术制备大扇出结构FinFET的研究需求建设，基于三维微纳结构加工和FinFET器件制备，主要记录了三维微纳结构：超薄Fin结构制备和大扇出结构FinFET器件关键工艺及集成工艺实验数据和测试结果。
国家基础学科公共科学数据中心140
Data for paper: Thin Al1-xGaxAs0.56Sb0.44 diodes with low excess noise
The files correspond to experimental results in paper: "Thin Al1-xGaxAs0.56Sb0.44 diodes with low excess noise" published in IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics (Volume: 24, Issue:
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Mendeley Data2024-06-25 更新310
Supplement Number 1
Equivalent scheme of power supply to transistor and simplified 1D schematic of potential distribution U(x) along the axis X, directed from Source to Drain, for 2D electron channel of the AlGaN/GaN HEM
DataCite Commons2025-09-24 更新100
