一种SiC基异质集成氮化镓薄膜与HEMT器件的制备方法
收藏中国科学院中国科学技术大学科学数据中心2026-01-10 收录
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本申请公开了一种SiC基异质集成氮化镓薄膜与HEMT器件的制备方法，包括获取SiC晶圆；在所述SiC晶圆的Si面上形成SiO2保护层；对所述SiC晶圆进行不同能量的多次氢离子注入；去除所述SiO2保护层；对所述SiC晶圆进行退火处理；在所述SiC晶圆的Si面上形成氮化镓薄膜；在所述氮化镓薄膜的表面制备HEMT器件。
提供机构：
上海微系统与信息技术研究所创建时间：
2023-05-23
