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厦门乾照光电股份有限公司
企业厦门乾照光电股份有限公司成立于2006年，属计算机、通信和其他电子设备制造业，主营光电子器件制造。面向Micro-LED、光致发光、Micro-LED芯片制造等领域提供数据服务，开放Micro-LED外延片PL光学性能（Micro-LED、光致发光）、Micro-LED 芯片光电性能（Micro-LED芯片制造、光电性能测试）、Micro-LED巨量转移排列精度（Micro-LED、巨量转移工艺），支撑品质管理与工艺优化。
光致发光光电性能测试巨量转移工艺电子通信设备高新技术企业
数据集列表
Micro-LED外延片PL光学性能
本数据集主要面向高均匀性 Micro-LED 外延制备工艺研究，通过生长载盘设计，生长衬底设计，外延生长工艺设计等多维度进行协调控制，获得了均匀性良好的外延片；基于光致发光、荧光光谱法和反射原理，利用PL谱扫描成像仪，外延片以0.4mm步进移动扫描，选择正中间2cm*2cm面积包含数据计算均匀性、标准差，记录过程数据与计算所得数据，数据量13.1MB。
国家基础学科公共科学数据中心110
Micro-LED 芯片光电性能
本数据集主要面向高效 Micro-LED 显示芯片光电性能技术研究，开发高反射膜技术、侧壁损伤修复技术及芯片 ALD 侧壁钝化技术，提升芯片出光效率及可靠性；基于电致发光原理，利用积分球，测量阵列半波宽、阵列发光效率，记录过程数据与计算所得数据，数据量476KB。
国家基础学科公共科学数据中心100
Micro-LED巨量转移排列精度
本数据集主要面向Micro-LED 巨量转移工艺研究，探究Micro-LED芯片转移工艺策略，基于高良率激光剥离技术与键合工艺关系，三色排列精度与胶材的关系，实现高良率面积 2cm*2cm 三色芯片排列技术；利用高精度测量显微镜，调整焦距至电脑显示清晰的外观图，用电脑软件进行测量两颗芯片边缘间距，记录过程数据与计算所得数据，数据量7.80MB。
国家基础学科公共科学数据中心100
Micro-LED芯片规格
本数据集主要面向Micro-LED芯片设计与制造研究建设，探究芯片制程优化策略，基于光刻、干法刻蚀、电极蒸镀等产生，利用高精度测量显微镜，调整焦距至电脑显示清晰的外观图，用测试软件测量芯片尺寸和两颗芯片间间距，记录测量数据，数据量8.11MB。
国家基础学科公共科学数据中心60