高击穿电压、低导通电阻 GaN 基开关器件机理与结构设计研究数据集

氮化镓开关器件在大功率工作时承受着热、电耦合应力和射频应力的共同作用，器件功率耐受机理十分复杂，成为限制器件性能提升的关键科学问题。本项目提出了一种薄AlN缓冲层和薄GaN沟道层的新型GaN HEMT器件结构，改善开关器件击穿电压、耐受功率、插入损耗等性能。数据量30.9MB。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集针对氮化镓（GaN）开关器件在大功率工况下热、电耦合及射频应力导致的复杂功率耐受问题，提出一种采用薄AlN缓冲层和薄GaN沟道层的新型HEMT结构，旨在提升器件的击穿电压、功率耐受能力并降低插入损耗。数据集包含相关机理研究与结构设计数据，数据量约30.9MB。