6英寸SiC导电衬底器件验证数据集

SiC材料在5G通讯、新能源汽车、航空航天、雷达、光伏等领域具有重要应用价值，是提升新一代信息技术核心竞争力的关键支撑，因此，为满足SiC产业发展的重大需求，亟需开展大尺寸SiC单晶衬底制备产业化技术研究。当前大尺寸SiC单晶衬底制备面临扩径难度大、缺陷密度控制难、生产成本高等挑战，且工艺参数与衬底性能、外延材料以及器件参数的关联缺乏系统积累。因此，构建标准化、多维度的制备与表征数据体系对SiC技术的突破具有重要的意义。本数据集基于6英寸4H-SiC同质外延材料的器件验证研究，实现对6英寸4H-SiC单晶衬底质量的系统性验证反馈。基于优选外延片制备肖特基势垒二极管（SBD），使用DTS-1000在片测试系统完成器件电学性能验证。通过终端器件表现（如击穿电压、良率等）反向评估衬底及外延工艺的质量一致性，为碳化硅单晶生长、外延工艺优化、生长机理研究以及相关器件研发提供了全面可靠的数据支撑。