高击穿电压、低导通电阻 GaN 基开关器件关键工艺数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-07-29 收录
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资源简介：
器件关键工艺是实现高击穿电压、低导通电阻 GaN 基开关器件研制的关键。本项目重点突破低了寄生细栅制备、再生长 n + GaN 非合金电阻欧姆制备以及低漏电复合钝化等关键工艺技术。数据量44.9MB。
提供机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所
社区交流群
科研交流群
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器件关键工艺是实现高击穿电压、低导通电阻 GaN 基开关器件研制的关键。本项目重点突破低了寄生细栅制备、再生长 n + GaN 非合金电阻欧姆制备以及低漏电复合钝化等关键工艺技术。数据量44.9MB。