高击穿电压、低导通电阻 GaN 基开关器件关键工艺数据集

器件关键工艺是实现高击穿电压、低导通电阻 GaN 基开关器件研制的关键。本项目重点突破低了寄生细栅制备、再生长 n + GaN 非合金电阻欧姆制备以及低漏电复合钝化等关键工艺技术。数据量44.9MB。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

本数据集针对高击穿电压、低导通电阻GaN基开关器件的关键工艺展开，重点突破了寄生细栅制备、再生长n+GaN非合金电阻欧姆接触及低漏电复合钝化等技术环节。数据总量为44.9MB，涵盖相关工艺成果。