高浓度 InAlN/GaN 新型异质结材料高质量、高均匀性生长数据集

InAlN/GaN 新型异质结构材料具有强极化、超薄势垒和高电子浓度的优势，可提高开关器件饱和电流、降低导通电阻，是研制大功率低插损GaN开关的关键。本项目通过优化InAlN/GaN异质结结构设计、系统优化MOCVD外延生长工艺、以及改善设备温场设计，大幅提升InAlN/GaN异质结材料沟道电子迁移率、浓度和方阻不均匀性，研制出高质量4-6 英寸InAlN/GaN异质结构材料。数据量397MB。