大功率低插损 GaN 基开关电路设计与制备数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-07-29 收录
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资源简介:
针对通信系统对大功率低插损开关的需求,开展了GaN基开关器件设计及制备、优化了电路匹配方式和电路拓扑结构,实现Sub-6GHz和毫米波段大功率低插损GaN基单刀双掷开关。主要记录了2.5-5.0GHz、24.25-29.5GHz、37-42.5GHz三款GaN基开关的电路设计以及测试表征结果。数据量873MB。
提供机构:
中国电子科技集团公司第十三研究所
针对通信系统对大功率低插损开关的需求,开展了GaN基开关器件设计及制备、优化了电路匹配方式和电路拓扑结构,实现Sub-6GHz和毫米波段大功率低插损GaN基单刀双掷开关。主要记录了2.5-5.0GHz、24.25-29.5GHz、37-42.5GHz三款GaN基开关的电路设计以及测试表征结果。数据量873MB。