中科院半导体所高矫顽场低介电常数HZO铁电材料数据

高矫顽场低介电常数HZO铁电材料数据集基于科技部重点研发计划项目“新型高密度存储材料与器件”研究结果而建立，包扩ZnO基HZO外延材料的结构数据（x射线衍射、透射电镜表征结果）及电学数据（电容-电压曲线结果）、Si基HZO结构数据（x射线衍射表征结果）及电学数据（电容-电压曲线结果）。该数据集反映了HZO与半导体集成及其器件应用相关内容，供半导体材料及器件领域的研究人员参考。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集源于'新型高密度存储材料与器件'重点研发计划项目，聚焦高矫顽场低介电常数HZO铁电材料，提供了ZnO基和Si基HZO的结构表征（如X射线衍射和透射电镜结果）与电学性能（如电容-电压曲线）数据。它旨在反映HZO与半导体集成及其器件应用，服务于半导体材料及器件领域的研究人员参考使用。