高精度内侧墙制备工艺数据集

本研究提出了一个GAA器件高精度内侧墙制备的数据集，根据研究内容划分为三个子数据集：1、基于中国科学院微电子研究所集成电路先导中心的200mm CMOS工艺线平台，制备的GAA器件结构的关键工艺流程和集成工艺；2、内侧墙结构的制备研究过程；3、对GAA器件结构中制备完成高精度内侧墙的TEM与EDS表征分析。其数据作用主要是用来调配源漏与栅极之间的寄生电容和电阻，以及在伪栅释放后释放纳米线或者纳米片沟道时保护源漏结构。对于提升器件良品率与提升器件性能的研究有十分重要参考的作用。